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SS8050中文资料

SS8050图片

SS8050外观图

  • 大小:165.64KB
  • 厂家:
  • 描述:JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors SS8050 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation P CM : 1 W (T A =25 ℃) : 2 W (T C =25 ℃) MAXIMUM RATINGS (T A =25 ℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units V CBO Collector-Base Voltage 40 V V CEO Collector-Emitter Voltage 25 V V EBO Emitter-Base Voltage 5 V I C Collector Current -Continuous 1.5 A T j Junction Temperature 150 ℃ T stg Storage Temperature -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25 ℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =100uA, I E =0 40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =0.1mA, I B =0 25 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =100 μA, I C =0 5 V Collector cut-off current I CBO V CB =40V, I E =0 0.1 μA Emi
  • 现有数量:1,701现货
  • 价格:1 : ¥1.67000剪切带(CT)3,000 : ¥0.29380卷带(TR)
  • 系列:UMW
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):25 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 80mA,800mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大值:300 mW
  • 频率 - 跃迁:100MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23

SS8050供应商

更新时间:2023-01-03 05:52:39
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • SS8050

    SS8050
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 2900

  • JINGDAO

  • SMD/22+

  • 百分百原装环保现货只做原装

  • SS8050

    SS8050
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

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  • 3999999

  • CJ/长晶

  • SOT23/323/24+

  • 代理有售样品价格优势

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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